三星晶圆代工寻求新突破 将扩大成熟制程节点产能

三星在2021年高调地进行半导体扩张计划，表示未来十年将投资1515亿美元用于晶圆厂的建设，并在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，计划2022年上半年量产第一代3nm工艺，2023年量产第二代3nm工艺。三星希望通过提升产能，加快工艺技术的研发，拉近与领头羊台积电（TSMC）之间的距离。

一般讨论三星半导体制造技术的时候，都会将目光聚焦在先进制程节点上，比如3nm/4nm/5nm工艺。事实上，三星和台积电的差距不止在先进工艺技术上，还有包括成熟制程节点的产能和相关供应链的配套上。据Business Korea报道，三星正在考虑建立自己的芯片测试和封装厂，以便更好地为合作伙伴提供全方位的服务。三星还打算改进旧工艺来提高性能和成本竞争力，同时扩展成熟制程节点的产能，用于制造CMOS图像传感器（CIS）等芯片。

去年三星在“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，介绍了用于CIS、DDI、MCU的17LPV工艺，即Low Power Value的17nm工艺。作为28nm的衍生工艺，在原工艺基础上加入了14nm工艺使用的FinFET工艺技术，以相对低成本享受到新的技术优势。与原有的28nm工艺相比，芯片面积可减少43%，性能提高39%或功耗降低49%。

传闻三星计划到2026年的时候，其晶圆代工业务的客户数量达到300家以上。相比之下，台积电2022年的客户数量预计将有500家以上，而三星仅突破100家，两者相差了五倍。目前在台积电的营收里，先进工艺和成熟工艺大概各占一半，三星则是先进工艺占据了大部分营收。此外，三星现阶段在汽车和人工智能领域的芯片制造上，仍处于起步阶段，这将是未来其晶圆代工是否能继续壮大的关键。